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| 型号 |
供应商
|
品牌 | 批号 | 数量 | 封装 | 交易说明 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI9936BDY-T1-E3
|
SI
|
04+ |
71
|
SOP |
|
||
|
SI9936BDY-T1-E3
|
VISHAY/威世
|
17+ |
57
|
ROHS |
|
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SI9936BDY-T1-E3
|
VISHAY/威世
|
11+ |
50
|
SOP-8 |
|
||
|
SI9936BDY-T1-E3
|
VISHAY/威世
|
40
|
SO-8SMD |
双N-MOSFET 30V 6.0A 0.035OHM
|
|
||
|
SI9936BDY-T1-E3
|
VISHAY/威世
|
14+ |
40
|
SOP |
|
||
|
SI9936BDY-T1-E3
|
VISHAY/威世
|
18+ |
35
|
SOP-8. |
|
||
|
SI9936BDY-T1-E3
|
VISHAY/威世
|
03+ |
35
|
SOP8 |
|
||
|
SI9936BDY-T1-E3
|
VISHAY/威世
|
06+ |
33
|
SOP8 |
|
||
|
SI9936BDY-T1-E3
|
SILICON
|
5
|
SO-8 |
|
|||
|
SI9936BDY-T1-E3
|
VISHAY/威世
|
07+ |
4
|
SOP8 |
|
||
|
SI9936BDY-T1-E3
|
VISHAY/威世
|
10+ |
2
|
SOP8 |
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||
|
SI9936BDY-T1-E3
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SILICONIX/硅尼克斯
|
0613/ |
1
|
SO8 |
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制造商:Vishay产品种类:MOSFET小信号RoHS:是配置:DualDualDrain晶体管极性:N-Channel汲极/源极击穿电压:30V闸/源击穿电压:+/-20V漏极连续电流:4.5A功率耗散:1100mW最大工作温度:+150C安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SOIC-8Narrow封装:Reel最小工作温度:-55CStandardPackQty:2500
SI9936BDY-T1-E3的搜索指数、商家竞价均价、商家总数以及库存量等烽火指数情况 点击查看