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更新时间：2023-11-01 12:04:54
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SI7842DP-T1-E3

深圳市周华伟电子科技有限公司

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Si7842DP-T1-E3相关信息：

制造商：Vishay产品种类：MOSFET小信号RoHS：是配置：Dual晶体管极性：N-Channel电阻汲极/源极RDS（导通）：0.024Ohms正向跨导gFS（最大值/最小值）：22S汲极/源极击穿电压：30V闸/源击穿电压：+/-20V漏极连续电流：6.3A功率耗散：3.5W最大工作温度：+150C安装风格：SMD/SMT封装/箱体：PowerPAKSO-8封装：Reel最小工作温度：-55CStandardPackQty：3000

Si7842DP-T1-E3烽火指数：

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