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TPD2EUSB30DRTR相关信息：

TPD2EUSB30、TPD2EUSB30A和TPD4EUSB30是基于2通道和4通道瞬态电压抑制器（TVS)的静电放电（ESD）保护二极管阵列。TPDXEUSB30/A器件的额定ESD冲击消散值达到了IEC61000-4-2国际标准（接触式）规定的最高水平。根据IEC61000-4-5（浪涌）规范，这类器件还可提供5A（8/20us)的峰值脉冲电流额定值。TPD2EUSB30A具有4.5V的低直流击穿电压。凭借低电容、低击穿电压和低动态电阻，TPD2EUSB30A器件可为高速差分IO提供出色的保护。TPD2EUSB30和TPD2EUSB30A可采用节省空间的DRT（1mm×1mm)封装：TPD4EUSB30可采用节省空间的DQA（2.5mm×1.0mm)封装。

TPD2EUSB30DRTR相关资料：

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TPD2EUSB30DRTR烽火指数：

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批号		封装
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