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型号
供应商
品牌 批号 数量 封装 交易说明 询价
2N7002E-7-F

深圳市金华信电子有限公司

DIODES/美台

2024+PB

15000

SOT-23-3

 询价

2N7002E-7-F

深圳市广盛达电子有限公司

DIODES/美台

1210+

12956

SOT-23

 询价

2N7002E-7-F

北京永创新电子科技有限公司

DIODES/美台

23+

12500

SOT-23

 询价

2N7002E-7-F

深圳市佳丽达电子有限公司

DIODES/美台

21+

10000

N/A

 询价

2N7002E-7-F

深圳市茂源时代科技有限公司

DIODES/美台

2022+

10000

SMD

 询价

2N7002E-7-F

深圳市唯商诚科技有限公司

DIODES/美台

22+

9746

SOT-23

N MOS

 询价

2N7002E-7-F

深圳市长裕电子有限公司

DIODES/美台

23+

9200

SOT-23

 询价

2N7002E-7-F

圣禾堂(深圳)电子科技有限公司

DIODES/美台

24+

8472

SOT23

 询价

2N7002E-7-F

圣禾堂(深圳)电子科技有限公司

DIODES/美台

24+

8472

SOT23

 询价

2N7002E-7-F

圣禾堂(深圳)电子科技有限公司

DIODES/美台

24+

8472

SOT23

 询价

2N7002E-7-F

深圳市矽灵斯电子有限公司

DIODES/美台

20+21+

8061

3-PinSOT-23

 询价

2N7002E-7-F

深圳市深仪芯科技有限公司销售二部

DIODES/美台

19+24

7712

 询价

2N7002E-7-F

深圳市正品电子有限公司

DIODES/美台

2210+

7712

 询价

2N7002E-7-F

深圳市高芯恩科技有限公司

DIODES/美台

24+

6000

SOT-23-3

 询价

2N7002E-7-F

深圳市矽灵斯电子有限公司

DIODES/美台

20+

6000

TO-236-3SC-59SOT-23-

MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3

 询价

2N7002E-7-F

深圳市中鑫兴业电子有限公司

DIODES/美台

1031+

6000

SOT-23

 询价

2N7002E-7-F

深圳市和信跃达电子有限公司

DIODES/美台

21+

4980

SOT-23

 询价

2N7002E-7-F

深圳市金昌泰源科技发展有限公司

DIODES/美台

20+

4863

SOT23

 询价

2N7002E-7-F

深圳市宝隆宏业科技有限公司

DIODES/美台

2122+

3000

SOT-23-3

 询价

2N7002E-7-F

深圳市粤腾洲电子有限公司

DIODES/美台

15+

3000

SOT-23

 询价

2N7002E-7-F

深圳市雄兴微电子科技有限公司

DIODES/美台

1440+PBF

3000

SOT23

 询价

2N7002E-7-F

深圳市华洋半导体有限公司

DIODES/美台

2025+

3000

SOT23

 询价

2N7002E-7-F

深圳市华蔼科技有限公司

DIODES/美台

1227PB1301PB

3000

SOT23

 询价

2N7002E-7-F

深圳市九龙喜电子科技有限公司

DIODES/美台

23+

2400

DIODES

 询价

2N7002E-7-F

深圳市阳泰凌科电子有限公司

DIODES/美台

15+

2350

SOT23

 询价

2N7002E-7-F

深圳市福田区广纳聚电子商行

DIODES/美台

19+

2090

SOT23

 询价

2N7002E-7-F

深圳市睿顺科技有限公司

DIODES/美台

1900

 询价

2N7002E-7-F

深圳市冰鑫洋电子有限公司

DIODES/美台

2322+

1816

SOT23

 询价

2N7002E-7-F

深圳市佳顺利科技有限公司

DIODES/美台

2322+

1816

SOT23

 询价

2N7002E-7-F

深圳市冰鑫洋电子有限公司

DIODES/美台

2322+

1816

SOT23

 询价

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2N7002E-7-F相关信息:

类别:分离式半导体产品 家庭:MOSFET,GaNFET - 单 系列:-FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点:逻辑电平门开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3 欧姆 @ 250mA, 10V漏极至源极电压(Vdss):60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:240mAId 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:-在 Vds 时的输入电容(Ciss) :50pF @ 25V功率 - 最大:300mW安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 包装:带卷 (TR)供应商设备封装:*

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