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2N7002E-7-F	深圳市万胜盛达电子有限公司评价	DIODES/美台	22+	1315	SOT-23		询价
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2N7002E-7-F	深圳市虹莉青电科技有限公司评价	DIODES/美台	24+	1247	SOT23		询价
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2N7002E-7-F	深圳市福田区盛泰兴伟业电子商行评价	DIODES/美台	18+	325	SOT23		询价
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2N7002E-7-F相关信息：

类别：分离式半导体产品家庭：MOSFET，GaNFET - 单系列：-FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点：逻辑电平门开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3 欧姆 @ 250mA, 10V漏极至源极电压(Vdss)：60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：240mAId 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs：-在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：50pF @ 25V功率 - 最大：300mW安装类型：表面贴装封装/外壳：SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 包装：带卷 (TR)供应商设备封装：*

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