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型号 |
供应商
|
品牌 | 批号 | 数量 | 封装 | 交易说明 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SI2301BDS-T1-GE3
|
VISHAY/威世
|
4722
|
|
||||
SI2301BDS-T1-GE3
|
VISHAY/威世
|
4722
|
|
||||
SI2301BDS-T1-GE3
|
VISHAY/威世
|
2018+ |
3475
|
SOT-23 |
|
||
SI2301BDS-T1-GE3
|
VISHAY/威世
|
22+ |
3100
|
SOT-23-6 |
|
||
VISHAY/威世
|
25+ |
3050
|
SOT23-3 |
|
|||
SI2301BDS-T1-GE3
|
HJKE
|
25+ |
3000
|
SOT-23 |
|
||
SI2301BDS-T1-GE3
|
VISHAY/威世
|
24+ |
3000
|
SOT-23-3 |
|
||
SI2301BDS-T1-GE3
|
HJKE
|
25+ |
3000
|
SOT-23 |
|
||
SI2301BDS-T1-GE3
|
HJKE
|
25+ |
3000
|
SOT-23 |
|
||
SI2301BDS-T1-GE3
|
VISHAY/威世
|
06+ |
2980
|
SOT-23 |
|
||
Si2301BDS-T1-GE3
|
VISHAY/威世
|
21+ |
2789
|
SMD |
|
||
SI2301BDS-T1-GE3
|
VISHAY/威世
|
2018+ |
2772
|
SOT-23 |
|
||
SI2301BDS-T1-GE3
|
VISHAY/威世
|
2018+ |
2772
|
SOT-23 |
|
||
SI2301BDS-T1-GE3
|
VISHAY/威世
|
24+ |
2691
|
SOT23-3 |
|
||
SI2301BDS-T1-GE3
|
VISHAY/威世
|
16+ |
2387
|
SOT23 |
|
||
VISHAY/威世
|
16+ |
2387
|
SOT23 |
|
|||
SI2301BDS-T1-GE3
|
VISHAY/威世
|
22+ |
2350
|
SOT23 |
|
||
SI2301BDS-T1-GE3
|
VISHAY/威世
|
09+ |
2241
|
SOT23-3 |
|
||
VISHAY/威世
|
16+ |
900
|
SOT23 |
|
|||
SI2301BDS-T1-GE3
|
ONSEMI/安森美
|
23+24+ |
770
|
SOT-23 |
|
||
SI2301BDS-T1-GE3
|
VISHAY/威世
|
24+ |
770
|
SOT23-3 |
|
||
VISHAY/威世
|
1032+ |
594
|
SOT23-3 |
|
|||
SI2301BDS-T1-GE3
|
VISHAY/威世
|
22+ |
520
|
SOT23-3 |
|
||
SI2301BDS-T1-GE3
|
VISHAY/威世
|
18+ |
338
|
SOT23-3 |
|
||
SI2301BDS-T1-GE3
|
VISHAY/威世
|
13+ |
157
|
SOT-23-3 |
|
||
VISHAY/威世
|
10+ |
145
|
SOT23 |
|
|||
SI2301BDS-T1-GE3
|
VISHAY/威世
|
09PB |
140
|
SOT-23 |
|
||
SI2301BDS-T1-GE3
|
VISHAY/威世
|
06+ |
100
|
SOT-23 |
便宜出
|
|
|
VISHAY/威世
|
25+ |
100
|
SOT23 |
|
|||
SI2301BDS-T1-GE3
|
VISHAY/威世
|
15+ |
42
|
SOT23 |
|
制造商:Vishay产品种类:MOSFET小信号RoHS:是配置:Single晶体管极性:P-Channel汲极/源极击穿电压:20V闸/源击穿电压:+/-8V漏极连续电流:2.2A功率耗散:700mW最大工作温度:+150C安装风格:SMD/SMT封装/箱体:TO-236-3封装:Reel最小工作温度:-55CStandardPackQty:3000
型号 | 厂商 | 大小 | ||
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SI2301BDS-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | 0.21M | 下载 |
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