SI2301BDS-T1-GE3_SI2301BDS-T1-GE3全国供应商_PDF中文资料

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SI2301BDS-T1-GE3	芯莱购（深圳）半导体电子有限公司评价	VISHAY/威世	18+	1	SOT-23		询价

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SI2301BDS-T1-GE3

芯莱购（深圳）半导体电子有限公司

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SI2301BDS-T1-GE3相关信息：

制造商：Vishay产品种类：MOSFET小信号RoHS：是配置：Single晶体管极性：P-Channel汲极/源极击穿电压：20V闸/源击穿电压：+/-8V漏极连续电流：2.2A功率耗散：700mW最大工作温度：+150C安装风格：SMD/SMT封装/箱体：TO-236-3封装：Reel最小工作温度：-55CStandardPackQty：3000

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