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TPD2EUSB30DRTR

香港皓元电子有限公司

TI/德州仪器

2

15000

N/A

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳市佳威星科技有限公司

TI/德州仪器

22+

15000

SOT23

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳市金华信电子有限公司

TI/德州仪器

2024+PB

15000

SOT23

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳市华能芯电子科技有限公司

TI/德州仪器

22+

15000

SOT-9X3-3

3000/盘

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳市金寰冠电子有限公司

TI/德州仪器

22+

15000

SOT23

 询价

TPD2EUSB30DRTR

鼎芯国际贸易(深圳)有限公司

TI/德州仪器

23+

15000

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳热芯敏科技有限公司

TI/德州仪器

22+23+

14689

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳大信半导体有限公司

TI/德州仪器

2021+

13500

SOT-523

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳市佳得电子有限公司

TI/德州仪器

13093

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳市招盛徽电子科技有限公司

TI/德州仪器

24+

12800

SOT-523

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳市矽灵斯电子有限公司

TI/德州仪器

20+21+

12349

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳市长进汇电子发展有限公司

TI/德州仪器

16+

12000

SOT-23

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TPD2EUSB30DRTR

深圳市诚瀚电子有限公司

TI/德州仪器

16+

12000

SOT23

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TPD2EUSB30DRTR

深圳市品惠科技有限公司

TI/德州仪器

21+

12000

SMD

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TPD2EUSB30DRTR

深圳市长进汇电子发展有限公司

TI/德州仪器

16+

12000

SOT23

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TPD2EUSB30DRTR

深圳市中宝汇能科技有限公司

TI/德州仪器

16+

12000

SOT23

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TPD2EUSB30DRTR

深圳市中恒达微科技有限公司

TI/德州仪器

24+

12000

SOT-523

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TPD2EUSB30DRTR

深圳市福田区新亚洲电子市场恒谦电子商行

TI/德州仪器

22+

12000

SOT-933

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TPD2EUSB30DRTR

深圳市三芯半导体有限公司

TI/德州仪器

24+

12000

SOT-9X3-3

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TPD2EUSB30DRTR

深圳市捷立辉科技有限公司

TI/德州仪器

22+

11300

SOT-9X3(DRT)

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳市中智浦电子有限公司

TI/德州仪器

22+

10851

SOT-3

 询价

TPD2EUSB30DRTR

环星科技(香港)有限公司

TI/德州仪器

23+

10500

SOT(9x3)

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳市深港易通科技有限公司

TI/德州仪器

16+

10000

SOT23

 询价

TPD2EUSB30DRTR

华正芯微(深圳)电子科技有限公司

TI/德州仪器

24+

10000

SOT23

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TPD2EUSB30DRTR

戴熙国际实业有限公司

TI/德州仪器

22+

10000

22

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TPD2EUSB30DRTR

深圳市正汇达电子有限公司

TI/德州仪器

21+

10000

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TPD2EUSB30DRTR

深圳市海创达电子科技有限公司

ONSEMI/安森美

24+

10000

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TPD2EUSB30DRTR

深圳市正汇达电子有限公司

TI/德州仪器

21+

10000

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TPD2EUSB30DRTR

深圳市俊泰通科技有限公司

TI/德州仪器

24+

10000

NA

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳市易羽科技有限公司

TI/德州仪器

2022

9960

SOT23

 询价

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TPD2EUSB30DRTR相关信息:

TPD2EUSB30、TPD2EUSB30A和TPD4EUSB30是基于2通道和4通道瞬态电压抑制器(TVS)的静电放电(ESD)保护二极管阵列。TPDXEUSB30/A器件的额定ESD冲击消散值达到了IEC61000-4-2国际标准(接触式)规定的最高水平。根据IEC61000-4-5(浪涌)规范,这类器件还可提供5A(8/20us)的峰值脉冲电流额定值。TPD2EUSB30A具有4.5V的低直流击穿电压。凭借低电容、低击穿电压和低动态电阻,TPD2EUSB30A器件可为高速差分IO提供出色的保护。TPD2EUSB30和TPD2EUSB30A可采用节省空间的DRT(1mm×1mm)封装:TPD4EUSB30可采用节省空间的DQA(2.5mm×1.0mm)封装。

TPD2EUSB30DRTR相关资料:
型号 厂商 大小
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