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TPD2EUSB30DRTR

北京小萌启航科技有限公司

TI/德州仪器

24+

6500

SOT-3

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳市唯有度科技有限公司

TI/德州仪器

23+

6280

SOT23

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳市尤采电子有限公司

TI/德州仪器

6000

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳市翔州电子科技有限公司

TI/德州仪器

22+

6000

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳市智其伟业电子有限公司

TI/德州仪器

21+

6000

SMD

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳市雪域科技电子有限公司

TI/德州仪器

21+

6000

SOT23

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳市博旭恒达电子有限公司

TI/德州仪器

2250

6000

 询价

TPD2EUSB30DRTR

成都正楷电子有限公司

TI/德州仪器

2251+5

6000

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳市盛泰芯源科技有限公司

TI/德州仪器

21+

6000

SOT-9X3

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳前海宝利士科技有限公司

TI/德州仪器

2304

6000

N/A

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳市顺兴利电子商行(个体)

TI/德州仪器

22+

6000

SOT23

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳市八零友创科技有限公司

TI/香港仓

23+

6000

QFN

NK685G架

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳市矽灵斯电子有限公司

TI/德州仪器

20+

5765

 询价

TPD2EUSB30DRTR

厦门好上好电子有限公司

TI/德州仪器

21+

5629

N/A

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳市杰旭鑫科技有限公司

TI/德州仪器

22+

5057

SOP

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳市领翔电子商行(个体)

TI/德州仪器

22+

5000

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳赛格电子市场铭鑫电子展销部

TI/德州仪器

21+

5000

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳市宏凯乐科技有限公司

TI/德州仪器

23+

5000

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳市盛世威科技有限公司

TI/德州仪器

23+

5000

SOT-9X3-3

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳市吉利鑫科技发展有限公司

TI/德州仪器

25+

4019

SOT23

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳市东捷微电子有限公司

TI/德州仪器

24+

3710

SOT-523

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳市永信盛电子有限公司

TI/德州仪器

23+

3650

SOT-523

 询价

TPD2EUSB30DRTR

云汉芯城(上海)互联网科技股份有限公司

TI/德州仪器

3640

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳市华芯盛半导体有限公司

TI/德州仪器

2227+

3406

SOT-23

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳市潮龙业电子科技有限公司

TI/德州仪器

18+

3374

SOT-23

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳市港源电子有限公司

TI/德州仪器

23

3358

SOT3

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳市七跃企泰科技有限公司

TI/德州仪器

23+

3011

SMD

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳市宝隆伟业科技有限公司

TI/德州仪器

2020+

3000

SMD

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳市顺创隆科技有限公司

TI/德州仪器

23+

3000

SOT23

主营TI

 询价

TPD2EUSB30DRTR

深圳市华庆微电子有限公司

TI/德州仪器

22+

3000

SOT23

 询价

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TPD2EUSB30DRTR相关信息:

TPD2EUSB30、TPD2EUSB30A和TPD4EUSB30是基于2通道和4通道瞬态电压抑制器(TVS)的静电放电(ESD)保护二极管阵列。TPDXEUSB30/A器件的额定ESD冲击消散值达到了IEC61000-4-2国际标准(接触式)规定的最高水平。根据IEC61000-4-5(浪涌)规范,这类器件还可提供5A(8/20us)的峰值脉冲电流额定值。TPD2EUSB30A具有4.5V的低直流击穿电压。凭借低电容、低击穿电压和低动态电阻,TPD2EUSB30A器件可为高速差分IO提供出色的保护。TPD2EUSB30和TPD2EUSB30A可采用节省空间的DRT(1mm×1mm)封装:TPD4EUSB30可采用节省空间的DQA(2.5mm×1.0mm)封装。

TPD2EUSB30DRTR相关资料:
型号 厂商 大小
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