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VNQ810PEP-E相关信息：

制造商: STMicroelectronics产品种类: MOSFET 及电源驱动器 IC类型: High Side电源电压（最大值）: 36 V电源电压（最小值）: 5.5 V电源电流: 13.5 mA最大功率耗散: 66000 mW最大工作温度: + 150 C最小工作温度: - 40 C封装 / 箱体: PowerSSO EP封装: Tube最大关闭延迟时间: 30000 ns (Typ)最大开启延迟时间: 30000 ns (Typ)安装风格: SMD/SMT激励器数量: 4输出端数量: 4输出电流: 5 A

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